Жеке адам
Сипаттамасы
Наименование: GT50JR22
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 50JR22
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| , A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое V: 1.55
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер V: 7.5
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 50JR22
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| , A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое V: 1.55
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер V: 7.5
ID: 365720947
Сатушыға хабарласу
xxx xxx xxx
жарияланған 2024 ж. 06 мамыр
Транзисторы для сварочного аппарата 50JR22 оригинал
2 000 тг.
Тұтынушы
Мекені